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las nuevas modificacion al gran core 2 duo ntel produce los primeros prototipos de procesadores con nuevos transistores diminutos de 45 nanometros, acelerando la era de la computacion multi-core.

En uno de los adelantos mas importantes en el diseno fundamental de transistores, Intel Corporation revelo hoy que utiliza dos materiales dramaticamente nuevos para construir las paredes aislantes y las compuertas de switcheo de sus transistores de 45 nanometros (nm).

Intel cree que ha extendido su liderazgo de mas de un año sobre el resto de la industria de los semiconductores con los primeros procesadores de 45 nm funcionales de su familia de productos de 45 nm de siguiente generación (con nombre codigo Penryn). Las versiones iniciales, que estaran destinadas a cinco segmentos diferentes del mercado de las computadoras, funcionan con los sistemas operativos Windows* Vista*, Mac OS X*, Windows* XP y Linux, ademas de diversas aplicaciones. La companía se mantiene dentro de su plan de iniciar la producción de transistores de 45 nm en la segunda mitad de este año.

Intel es el primero en implementar una combinacion innovadora de nuevos materiales que reduce drasticamente las fugas en los transistores e incrementa el desempeño de su tecnologia de proceso de 45 nm. La compania utilizara un nuevo material con una propiedad llamada high-k, para el componente dielectrico de la compuerta del transistor, y una nueva combinacion de materiales metálicos para el electrodo de la compuerta del transistor.

“La implementacion de materiales high-k y metal gate marca el cambio mas grande en la tecnología de los transistores desde la aparición de los transistores MOS con compuerta de poli-silicio a finales de la década de 1960¨, dijo Gordon Moore, cofundador de Intel.

Los transistores son switches diminutos que procesan los unos y ceros del mundo digital. La compuerta enciende y apaga el transistor y el componente dielectrico de la compuerta es un aislante situado por debajo de este que lo separa del canal donde circula corriente. La combinación de las compuertas metálicas y el componente dielectrico de compuerta high-k da como resultado transistores con fuga de corriente muy baja y un record de alto desempeño.

Receta de high-k y metal gate de Intel para la tecnologia de proceso de 45 nm

Se ha utilizado dioxido de silicio para producir el componente dielectrico de la compuerta del transistor por mas de 40 años por su facilidad para la manufactura y su capacidad de entregar mejoras continuas en el desempeno de los transistores conforme se ha hecho cada vez mas delgado. Intel ha a reducido exitosamente el componente dielectrico de la compuerta de dioxido de silicio a un espesor de 1.2 nm (igual a cinco capas atómicas) en nuestra tecnología de proceso anterior de 65 nm, pero la reduccion continua de tamano ha provocado fugas de corriente cada vez mayores a traves del componente dielectrico de la compuerta, lo que ocasiona el desperdicio de corriente electrica y produce calor innecesario.

La familia de procesadores con nombre codigo Penryn es un derivado de la micro-arquitectura Intel Core y marca el paso siguiente en la rapida cadencia de Intel de ofrecer una nueva tecnologia de proceso y una nueva micro-arquitectura cada tercer año. La combinacion de la tecnología de proceso de 45 nm, capacidades de manufactura de alto volumen y diseño líder en micro-arquitectura han permitido ya a la compania desarrollar sus primeros procesadores Penryn de 45 nm funcionales.

La compania tiene mas de 15 productos basados en la tecnologia de proceso de 45 nm en desarrollo en los segmentos de las PCs de escritorio, portatiles, estaciones de trabajo y empresariales. Con mas de 400 millones de transistores en procesadores dual-core y mas de 800 millones en procesadores Quad-Core (cuatro núcleos), la familia de procesadores Penryn de 45 nm incluye nuevas características de micro-arquitectura para incrementar el desempeño y las capacidades de manejo de la energía, además de velocidades de núcleo mas elevadas y hasta 12 megabytes de cache. Los diseños de la familia Penryn integran también cerca de 50 nuevas instrucciones Intel SSE4 que extienden las capacidades y el desempeño de aplicaciones de medios y de computo de alto desempeño. Creado por darkx4 | 1 comentarios | 01/02/07 07:33

.. alta info, espero que sigan asi los de Intel, y tambien rezemos que amd saque algo nuevo para darle competencia pero lo veo dificil ya que intel se esta zarpando Enviado por leo10_86 | 01/02/07 07:38

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